Copyright © 2012 by "Elsnab" Ltd · All Rights reserved
220021, Республика Беларусь, г. Минск, ул. Украинская, 8.
Каталог продукции
IGBT модуль BSM50GAL120DN2 - модули транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A, производство Eupec (Германия)
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 78 A
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 400 W
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 78 A
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 400 W
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
компания "Элснабцентр"
