Copyright © 2012 by "Elsnab" Ltd · All Rights reserved
220021, Республика Беларусь, г. Минск, ул. Украинская, 8.
Каталог продукции
FF150R12KE3G модуль на биполярных транзисторах с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A
Изготовитель: Eupec, Германия
Конфигурация: 2 транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 225 A
Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA
Рассеяние мощности: 780 W
Максимальная рабочая температура: + 125 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Вид монтажа: Screw
Изготовитель: Eupec, Германия
Конфигурация: 2 транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 225 A
Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA
Рассеяние мощности: 780 W
Максимальная рабочая температура: + 125 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Вид монтажа: Screw
компания "Элснабцентр"
