Copyright © 2012 by "Elsnab" Ltd · All Rights reserved
220021, Республика Беларусь, г. Минск, ул. Украинская, 8.
Каталог продукции
компания "Элснабцентр"
Структура транзистора 2Т827А, КТ827А n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 20000(40000) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (125) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 500-18000
Обратный ток коллектора <=3000 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>4 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора <2 дБ
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 20000(40000) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (125) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 500-18000
Обратный ток коллектора <=3000 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>4 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора <2 дБ
